報告書番号

W88024

タイトル（和文）

ＣＶケーブルの半導電層界面近傍絶縁体の添加剤による改質

タイトル（英文）

IMPROVEMENT OF THE SUPERSTRUCTURE IN THE INSULATION NEAR THE INTERFACE TO SEMICONDUCTING LAYER ON EHV XLPE CABLES BY AN ADDITIVE

概要 （図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております）

超高圧ＣＶケーブルの絶縁厚半減を目標として，半導電層への添加剤混入により絶縁破壊強度を向上させる手法を開発した。拡散した添加剤が絶縁体の高次構造形成におよぼす効果を検討するために，添加剤を直接混入させた絶縁体を作製し，添加濃度に対する材料物性および電気絶縁特性を解析した。その結果，添加濃度にともない，非晶部密度，ラメラ厚，球晶半径は大きくなり，改質されていることが分析され，絶縁体高次構造の形成制御による長期安定性の保持が示唆された。添加剤を絶縁体に直接混入すると，平均破壊強度は向上が認められるが，添加剤の分散性の良くない成分が微小な塊となり，低破壊確率における絶縁破壊強度が改善されないことが判明している。これらから，提案している添加剤拡散法は，ケーブル適用において絶縁破壊強度の向上が可能な有効な手法であることを確認した。

概要 （英文）

TO REDUCE THE INSULATION THICKNESS OF EHV XLPE CABLES,A METHOD HAS BEEN DEVELOPED FOR IMPROVING THE INTERFACIAL REGION BETWEEN THE INSULATION AND THE SEMICONDUCTING LAYER BY MIXING AN ADDITIVE INTO THE SEMICONDUCTING LAYER. IN ORDER TO ANALYZE MORPHOLOGICALEFFECTS OF THE INSULATION BY THE ADDITIVE AND THEIR DIELECTRIC CHARACTERISTICS,SOME KINDS OF XLPE SPECIMENS MIXED DIRECTLY THE ADDITIVE AT VARIOUS CONCENTRATIONS WERE PREPARED. AS PART OF THESE RESULTS,IT WAS FOUND THAT THE DENSITY OF THE AMORPHOUS PORTION,THE LAMELLA THICKNESS AND THE SPHERULITE RADIUS ARE INCREASED WITH ADDING CONCENTRATION,AND THAT THESE WEIBULL BREAKDOWN STRENGTH AT LOW PROBABILITY ARE NOT IMPROVED BECAUCE OF OCCURING MICRO-DEFECTS IN THE INSULATION. THEREFORE THERE IS THE POSSIBILITY OF STABLE PERFORMANCE FOR LONG TERM UTILITY BY FIXING XLPE SUPERSTRUCTURE. THE STUDY ALSO SHOWED THE AVAILABILITY OF DIFFUSING AN ADDITIVE INTO THE INSULATION FROM THE SEMICONDUCTING LAYER.

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