報告書番号

W87007

タイトル（和文）

半導電層界面のラメラ構造の改質と絶縁破壊強度の向上

タイトル（英文）

IMPROVEMENT OF THE LAMELLA STRUCTURE IN THE INTERFACIAL REGION AND HEIGHTENING OF BREAKDOWN STRENGTH

概要 （図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております）

ディスク試料のＴＥＭ写真を数値化し半導電層界面近傍のラメラ方向の統計的性質と絶縁破壊強度の関連性を検討し，以下のことが判明した。ラメラは半導電層界面のカーボン粒子の数ｍｍのごく近傍からほぼ垂直に成長し始めている。半導電層材料の種類のラメラ構造への影響から２００～３００ｍｍ程度の範囲までが顕著で，それ以上離れると顕著ではなくなる。界面から０．２μｍ以内の界面近傍のラメラ構造と１０％ワイブル電界の間には明確な依存関係が見られ，θが３８°以上ではθが大きくなるほど絶縁破壊強度が低くなる。一方θが３８°以下では逆に高くなる傾向が見られる。界面から０．２μｍ以内と０．９μｍ以遠におけるラメラ構造の６０～１２０℃の熱処理による変化が大きく，０．２μｍ前後の領域ではほとんど変化が見られなかった。ＴＥＭ写真の黒化度の自己相関関数のピーク値が大きい程すなわちラメラ周期が明確なほど１０％ワイブル電界が大きいこ

概要 （英文）

DISC SPECIMENS OF 5MM IN THICKNEESS AND 80MMIN DIAMETER WITH VARIOUS SEMICONDUCTING MATERIALS AS ELECTRODE MATERIALS WERE PREPARED FOR A.C. BREAKDOWN TEST. TEM PHOTOGRAPHS OF THE INTERFACIAL REGION BETWEEN THE SEMICONDUCTING LAYER AND THE INSULAION LAYER IN THE DISC SPECIMENS WERE TAKEN AFTER ITS BREAKDOWN TEST IN ORDER TO OBSERVE THE LAMELLA STRUCTURE IN THE INTERFACIAL REGION. LAMMELA SEEMS TOSTART NEAR A CARBON PARTICLE OF 30 100NM IN DIAMETER AND ITS DIRECTIONIS PERPENDICULAR TO THE SURFACE OF THE CARBON PARTICLE. LAMELLA STRUCTURE NEAR THE INTERFACE IS AFFECTED CLEARLY BY THE EXISTANCE OF SEMICONDUCTING LAYER WITHIN 200 300NM FROM THE INTERFACE. THE AVERAGE LAMELLA ANGLE AMONG LAMELLAE WITHIN 200NM FROM THE INTERFACE CLOSELY CORRELATED TO THE 10% WEIBULL BREAKDOWN STRENGTH. IT IS FOUND THAT THE SMALLER THEANGLE DECREASES,THE HEIGHER THE BREAKDOWN INCREASES.

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