報告書番号

W86013

タイトル（和文）

超高圧ＣＶケーブルの半導電層界面の改良

タイトル（英文）

AN APPROACH TO REDUCE THE THICKNESS OF EHV XPLE CABLE INSULATION-IMPROVEMENT OF SEMICONDUCTING LAYER-

概要 （図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております）

半導電層を改良した新しい絶縁構成法（特許５７－１８２１４０）を提案し，絶縁厚を低減する研究を開始した。本報告書は材料実験の結果で，絶縁厚低減の可能性を明らかにしたものである。改質半導電層材料を使用して交流絶縁破壊強度を測定した結果，半導電層材料の改質により平均値で２０～３０％の絶縁破壊強度の向上が可能であることが明確になった。また添加剤の平均分子量と１％ワイブル破壊強度との関係を検討した結果，添加剤の平均分子量等を適当に選択することによりこの破壊電界強度を２倍以上にできることが示唆された。半導電層界面付近をＴＥＭにて観察し，絶縁破壊値の高い試料では界面付近１マイクロメータ程度の範囲でポリエチレンのラメラが整然と，半導電層界面と直交していることを発見した。

概要 （英文）

THIS REPORT DESCRIBES NEW MATERIALS FOR SEMICONDUCTING LAYER WHICH ARE PROPOSED TO IMPROVE THE INTERFACIAL STRUCTURE BETWEEN THE INSULATING AND SEMICONDUCTING LAYERS IN EHV XLPE POWER CABLES IN ORDER TO REDUCE THE INSULATION THICKNESS. BREAKDOWN VOLTAGES OFDISC SPECIMENS OF 5 MM IN THICKNESS AND 80 MM IN DIAMETER ARE MEASURED. SOME GROUPS OF THE SPECIMENS WITH NEW SEMICONDUTING MATERIALS SHOW BREAKDOWN VOLTAGE OF 30% HIGHER THAN THAT OF THE SPECIMENS WITH CONVENTIONAL SEMICONDUCTING MATERIAL. TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE ANALYSIS OF THE INTER FACIAL REGION SHOWS THAT THERE EXISTS CLOSE RELATIONSHIP BETWEEN THE BREAKDOWN VOLTAGE AND THE LAMELLA CONFIGURATION IN THE INTERFACIAL REGION. IT IS SUGGESTED THAT SUITABLE SELECTION OF THE AVERAGE MOLECULAR WEIGHT OF THE ADDITIVE TO THE SEMICONDUCTING LAYER CAN IMPROVETHE BREAKDOWN STRENGTH OF XLPE CABLES BY FACTOR OF TWO OR MORE.

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