報告書番号

T98035

タイトル（和文）

AlAs/AlP半導体超格子の第一原理計算による物性予測 -－電子構造と熱力学的安定性－-

タイトル（英文）

Electronic states and thermodynamic stability of AlAs/AlP superlattices

概要 （図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております）

GaAsおよびGaP基板上における(AlAs)n(AlP)n超格子の第一原理計算を行った。(1)GaP基板上ではどの組み合わせでも間接遷移であるが、GaAs基板上のnが２以上の組み合わせの場合にゾーン折り返し効果により間接遷移から直接遷移へと変化することがわかった。(2)二相分離に対する熱力学的安定性について検討するため混合エンタルピーの計算を行った。GaAs基板、GaP基板共にn≦4では混合エンタルピーが負の値となり、二相分離に対して安定となっているのに対してn=5では正となり不安定となることがわかった。

概要 （英文）

Electronic states and thermodynamic stability of (AlAs)n(AlP)n [n=1 to 5] superlattices, were studied by first principle calculations. (1) The (AlAs)n(AlP)n superlattices grown on GaAs with n=2 to 5 are direct-band-gap semiconductors, while those grown on GaAs with n=1 and on GaP with n=1 to 5 are indirect-band-gap semiconductors. (2) The (AlAs)n(AlP)n superlattices grown on GaAs and GaP with n=1 to 4 are stable under phase segregation while those with n=5 are unstable.

報告者

キーワード