報告書番号

T97065

タイトル（和文）

ＧＩＳのＶ－ｔ特性評価手法の検討－ＳＦ６中準平等電界ギャップの放電進展過程の解明－

タイトル（英文）

METHOD FOR EVALUATING VOLTAGE-TIME CHARACTERISTICS IN GIS -CLARIFICATION OF DISCHARGE DEVELOPMENT PROCESS IN SF6 UNDER QUASI-UNIFORM FIELDS-

概要 （図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております）

任意の波形に対するＧＩＳのＶ－ｔ特性評価手法を確立することを目的に，モデルギャップでの雷インパルスに対する放電機構の解明を図り，Ｖ－ｔ特性評価への適用を検討した。主要な結果は以下の通りである。（１）これまで観測が困難であったＳＦ６中準平等電界ギャップでの放電進展過程をギャップ条件の効果も含めて解明した。（２）放電形成時間遅れは印加電圧瞬時値の増加につれて短くなり，ギャップ間の電界がＳＦ６の極限電界を超える条件では一定値に飽和する。（３）形成時間遅れの定量化に基づき，ギャップの統計的時間遅れを零としたＶ－ｔ特性を評価した。従来のＧＩＳの基準Ｖ－ｔ曲線に示されていない短時間領域の特性を推定できることを示した。

概要 （英文）

FROM THE VIEWPOINT OF RATIONAL INSULATION DESIGN FOR GIS (GAS-INSULATED SWITCHGEAR), A QUANTITATIVE METHOD FOR EVALUATING VOLTAGE-TIME CHARACTERISTICS IN GIS FOR ARBITRARY VOLTAGE WAVEFORMS IS REQUIRED. THIS REPORT DESCRIBES A STUDY ON THE DISCHARGE DEVELOPMENT PROCESS UNDER LIGHTNING IMPULSE VOLTAGES IN MODEL TEST GAPS FOR GIS AND A METHOD FOR EVALUATING THE OF VOLTAGE-TIME CHARACTERISTICS OF THE GAPS. THE PRINCIPAL RESULTS ARE SUMMARIZED AS FOLLOWS: (1) THE DISCHARGE DEVELOPMENT PROCESS IN SF6 UNDER QUASI-UNIFORM FIELDS IS CLARIFIED,AS WELL AS THE EFFECT OF GAP CONDITIONS ON THE PROCESS. (2) DISCHARGE FORMATIVE TIME LAGS FOR TEST GAPS DECREASE WITH INCREASE OF SPONTANEOUSAPPLIED VOLTAGES. THE TIME LAGS ARE CONSTANT IF THE ELECTRIC FIELD THROUGHOUT THE GAP EXCEEDS THE LIMITING FIELD STRENGTH IN SF6. (3) BASED ON THE QUANTITATIVELY MEASURED DISCHARGE FORMATIVE TIME LAGS, VOLTAGE-TIME CHARACTERISTICS ARE EVALUATED FOR TEST GAPS, ASSUMING THAT THE STATISTICAL TIME LAG IS ZERO.

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