報告書番号

T94047

タイトル（和文）

半導体レーザーの波長制御技術の開発（その６）－光周波数コム発生器の高性能化およびサイドバンドロック周波数安定化半導体レーザの試作―

タイトル（英文）

FREQUENCY CONTROL OF SEMICONDUCTOR LASER(VI)-IMPROVEMENTS IN PERFORMANCE OF OPTICAL FREQUENCY COMB GENERATOR AND TRIAL MANUFACTURE OF SIDEBAND-LOCKED STABILIZED SEMICONDUCTOR LASER-

概要 （図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております）

光周波数コム発生器の性能を向上させるために，入射端，出射端に鏡を設置して，複数のファブリ・ペロー共振器を構成する方法を提案した。入射端面側に鏡を設置することにより，周波数０．９ＴＨｚの範囲にわたり，サイドバンドパワーが１５ｄＢ増加した。また出射端側に鏡を設置することにより，一定の周波数ごとのサイドバンドの強度のみを増加させることができ，中心周波数から０．７８ＴＨｚ離れたサイドバンドのパワーを８ｄＢ増加することができた。絶対波長において波長可変，任意の波長で安定化可能，かつ簡便な方法として，位相変調により発生したサイドバンドをファブリー・ペロー共振器にロックする方法を新しく提案した。ファブリー・ペレー共振器に半導体レーザーのサイドバンドをロックした結果，２００ＭＨｚの周波数変化が電気的負帰還制御をかけたまま行われ，ＦＰＩの共振周波数以外の周波数における安定化が達成された。

概要 （英文）

WE HAVE PROPOSED A METHOD FOR BUILDING MULTIPLE,OPTICAL FABRY-PEROT CAVITIES BY PLACING MIRRORS AT THE INPUT AND OUTPUT PORTS TO IMPROVE THE PERFORMANCE OF AN OPTICAL FREQUENCY COMP WAS GENERATOR.BY INSTALLING A MIRROR AT THE MODULATION SIDEBANDS INCREASED TO 15 DB IN THE 0.9 THZ FREQUENCY.BY INSTALLING A MIRROR AT THE OUTPUT PORT,AN 8 DB INCREASE IN THE OUTPUT POWER WAS CONFIRMED FOR THE SIDEBAND 0.78 THZ FROM THE CENTER FREQUENCY. WE PROPOSE A NEW AND EASY METHOD OF TUNING LASER FREQUENCY BY LOCKING TO AN ABSOLUTE VALUE,AND OF STABILIZING THE LASER FREQUENCY AT THE REQUIRED VALUE BY LOCKING THE SIDEBANDGENERATED BY PASSAGE THROUGH A TRAVELING-WAVE EO-MODULATOR TO A FSR-STABILIZED FABRY-PEROT INTERFEROMETER.A SIDEBAND OF A SEMICONDUCTOR LASERWAS LOCKED TO THE RESO NANT FREQUENCY OF AN FSR-STABILIZED FABRY-PEROTINTERFEROMETER.AS A RESULT,THE FREQUENCY WAS LOCKED TO AN OBSOLUTE VALUE WITH 200 MHZ VARIATION,AND THE SEMICONDUCTOR LASER FREQUENCY WAS STABILIZED AT A FREQUENCY SEPARATED FROM THE RESONANT FREQUENCY OF THE FABRY-PEROT INTERFEROMETER.

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