報告書番号

T93044

タイトル（和文）

半導体レーザーの波長制御技術の開発（その５）－コヒーレント重畳および光周波数コム発生器の基礎的検討－

タイトル（英文）

FREQUENCY CONTROL OF SEMICONDUCTOR LASER(V) -STUDY OF COHERENT ADDITION AND FREQUENCY COMB GENERATOR-

概要 （図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております）

コヒーレント重畳および，光周波数コムのレーザー同位体分離への適用を提案し，その基礎実験行った。半導体レーザーの出射光を用いてコヒーレント重畳を行い，二台のレサーの重畳効率８５％，三台のレーザーを用いたときに重畳効率６８％を得た。重畳効率低下の原因として，各レーザーの波面の不均一等を挙げ，アダプティブミラーとコヒーレント重畳を組み合わせたシステムを提案した。光周波数コムを用いた周波数安定化レーザーシステムを提案した。その基礎実験として，ＬｉＮｂＯ３を用いたモノシリック型の光周波数コムを作成し，８０ｎｍ帯の半導体レーザーの光を用いて７．１ＴＨｚの周波数スパンでサイドバンドの発生に成功した。

概要 （英文）

WE PERFORMED COHERENT OPTICAL ADDITION USINGINJECTIONLY-LOCKED ALGAAS HIGH-POWER DIODE LASERS. THE COHERENTLY-ADDED OUTPUT POWER OF TWO DIODE LOSERS WAS INCREASED UP TO 110MW CORRESPONDING TO AN ADDITION EFFICIENCY OF 0.85. THE RESIDUAL PHASE FLUCTUATION OF THE SYSTEM WAS CONSTOLLED WITHIN 0.25 RAD. WE PROPOSE A NEW METHOD OFPRECISE LASER FREQUENCY TUNING TO THE OPTICAL ABSORPTION BAND OF AN ATOM USING AN OPTICAL FREQUNCY COMB GENERATOR (OFCG). MOREOVER,WE HAVE DEVELOPED AN OFCG USING A SEMICONDUCTOR LASER OSCILLATING AT A WAVELENGTHOF 800 NM,AND OBTAINED A WIDE FREQUENCY SPAN FOR THE MODULATION SIDEBANDS OF 6.1THZ. OPTICAL PHASE LOCKING WAS CARRIED OUT BETWEEN THE TWO COHERENT OPTICAL SIGNALS WITH A FREQUENCY SEPARATION OF 0.49 THZ,AND A PHASE ERROR VARIANCE OF ONLY 0.01 RADIANS WAS ACHIEVED.

報告者

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