電力中央研究所 報告書(電力中央研究所報告)
報告書データベース 詳細情報
報告書番号
T89052
タイトル(和文)
可視光半導体レーザーの波長制御に関する検討
タイトル(英文)
WAVELANGTH CONTROL OF VISIBLE-LIGHT SEMICONDUCTOR LASERS
概要 (図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております)
可視半導体レーザーの原子法レーザーウラン濃縮への適用可能性を検討するため,狭帯域・安定な波長制御,パルス出力の増幅を行った。(1)連続波可視光半導体レーザーのスペクトル幅を約44kHzに狭くできた。(2)波長0.8μmで注入同期法によりスペクトル幅1.0GHzのパルス発振を得た。(3)過可視光半導体レーザーを色素により約25dB増幅することができた。(4)ウラン濃縮法に可視光半導体レーザーの組み込むシステムを考案し,これに適用できるような可視光半導体レーザーの波長制御が可能である見込みが得られた。
概要 (英文)
WE HAVE CONTROLLED THE LINEWINDTH,STABILIZEDTHE WAVELENGTH,AND AMPLIFIED THE PULES POWER OF A VISIBLE-LIGHT SEMICONDUCTOR LASER FOR URANIUM ENRICHMENT. (1) THE SPECTRAL LINEWIDTH WAS NARROWED TO ABOUT 44 KHZ FOR THE CONTINUOUS WAVE OF A VISIBLE-LIGHT SEMICONDUCTOR LASER. (2) THE SPECTRAL LINEWIDTH WAS NARROWED TO ABOUT 1.0 GHZ FOR A 0.8-MU M PULSE WAVE. (3) AN AMPLIFICATION OF 25 DB WAS ACHIEVEDBY EXCITING THE DYE CELL. (4) WE EXPECT TO ACHIEVE URANIUM ENRICHMENT BY VISIBLE-LIGHT SEMICONDUCTOR LASERS BECAUSE THEIR WAVELENGTH CAN BE CONTROLLED.
報告書年度
1989
発行年月
1990/04/01
報告者
担当 | 氏名 | 所属 |
---|---|---|
主 |
後藤 直彦 |
狛江研究所開発部新技術研究室 |
共 |
藤井 隆 |
狛江研究所開発部新技術研究室 |
共 |
根本 孝七 |
狛江研究所開発部新技術研究室 |
キーワード
和文 | 英文 |
---|---|
可視光半導体レーザー | VISIBLE-LIGHT SEMICONDUCTOR LASER |
レーザーウラン濃縮 | LASER URANIUM ENRICHMENT |
波長制御 | WAVELENGTH CONTROL |
スペクトル線幅 | SPECTRAL LINEWIDTH |