電力中央研究所

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電力中央研究所 報告書(電力中央研究所報告)

報告書データベース 詳細情報


報告書番号

T89052

タイトル(和文)

可視光半導体レーザーの波長制御に関する検討

タイトル(英文)

WAVELANGTH CONTROL OF VISIBLE-LIGHT SEMICONDUCTOR LASERS

概要 (図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております)

可視半導体レーザーの原子法レーザーウラン濃縮への適用可能性を検討するため,狭帯域・安定な波長制御,パルス出力の増幅を行った。(1)連続波可視光半導体レーザーのスペクトル幅を約44kHzに狭くできた。(2)波長0.8μmで注入同期法によりスペクトル幅1.0GHzのパルス発振を得た。(3)過可視光半導体レーザーを色素により約25dB増幅することができた。(4)ウラン濃縮法に可視光半導体レーザーの組み込むシステムを考案し,これに適用できるような可視光半導体レーザーの波長制御が可能である見込みが得られた。

概要 (英文)

WE HAVE CONTROLLED THE LINEWINDTH,STABILIZEDTHE WAVELENGTH,AND AMPLIFIED THE PULES POWER OF A VISIBLE-LIGHT SEMICONDUCTOR LASER FOR URANIUM ENRICHMENT. (1) THE SPECTRAL LINEWIDTH WAS NARROWED TO ABOUT 44 KHZ FOR THE CONTINUOUS WAVE OF A VISIBLE-LIGHT SEMICONDUCTOR LASER. (2) THE SPECTRAL LINEWIDTH WAS NARROWED TO ABOUT 1.0 GHZ FOR A 0.8-MU M PULSE WAVE. (3) AN AMPLIFICATION OF 25 DB WAS ACHIEVEDBY EXCITING THE DYE CELL. (4) WE EXPECT TO ACHIEVE URANIUM ENRICHMENT BY VISIBLE-LIGHT SEMICONDUCTOR LASERS BECAUSE THEIR WAVELENGTH CAN BE CONTROLLED.

報告書年度

1989

発行年月

1990/04/01

報告者

担当氏名所属

後藤 直彦

狛江研究所開発部新技術研究室

藤井 隆

狛江研究所開発部新技術研究室

根本 孝七

狛江研究所開発部新技術研究室

キーワード

和文英文
可視光半導体レーザー VISIBLE-LIGHT SEMICONDUCTOR LASER
レーザーウラン濃縮 LASER URANIUM ENRICHMENT
波長制御 WAVELENGTH CONTROL
スペクトル線幅 SPECTRAL LINEWIDTH
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