報告書番号

T88023

タイトル（和文）

中・低レベル再処理廃棄物内α放射能の非破壊測定法の開発（その５）－６ＬｉＦコーティング半導体検出器の開発とその特性－

タイトル（英文）

EVALUATION OF NDA TECHNIQUES APPLYING TO THEMEASUREMENT OF ALPHA-ACTIVITIES IN MEDIUM-OR LOW-LEVEL RADIOACTIVE REPROCESSING WASTES(PART5) -THE DEVELOPMENT OF LIF COATING SEMICONDUCTOR DETECTOR-

概要 （図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております）

本報告書は，パッシブ中性子法における最適な中性子検出系の設計に資するため，半導体検出器を利用した中性子検出器を試作し，その基礎特性を調べ，高線量率のγ線が混在する環境における特性試験を行い，同検出原理を利用した中性子検出器と他の一般の中性子検出器を性能比較した結果を取りまとめたものである。６ＬｉＦコーティング表面障壁型半導体検出器を試作・試験した結果を基に，もれ電流が小さく安定性の高い６ＬｉＦコーティングイオン注入型半導体検出器を試作した。同検出器の熱中性子感度は，１．６ｃｐｓ／ｎｖで，約３００Ｒ／ｈのγ線が混在する環境において，中性子計数率は通常時の約２分の１であった。同検出器は，他の中性子検出器に比べて，熱中性子感度，耐γ線性能ともに比較的良好であるとともに，必要とする印加電圧が低いため，測定系に高圧電源を必要としないという長所を有していることが明らかとなった。

概要 （英文）

IN ORDER TO DESIGN THE NEUTRON-DETECTION SYSTEM IN THE NON-DESTRUCTIVE ASSAY DEVICE APPLIED TO THE MEASUREMENT OF ALPHA-ACTIVITY IN MEDIUM-OR LOW-LEVEL RADIOACTIVE REPROCESSING WASTES,WEEXAMINED THE PROPERTY OF THE LIF-COATING SEMICONDUCTOR DETECTOR APPLIED TO THE GAMMA-RADIATION FIELD. THE SENSITIVITY FOR THERMAL NEUTRONS OFTHE LIF-COATING ION-IMPLANTED DETECTOR IS 1.6CPS/NV,AND REDUCED TO HALF IN ABOUT A 300 R/H GAMMA-RADIATION FIELD. COMPARED WITH OTHER NEUTRONDETECTORS,FOR EXAMPLE,PROPORTIONAL COUNTERS,THE PERFORMANCE OF THIS DETECTOR IS ALMOST SIMILAR. THIS NEW DETECTOR ALSO HAS THE MERIT OF BEINGABLE TO USE A DRY-BATTERY,INSTEAD OF A HIGH-VOLTAGE,ELECTRICAL SCORCE.

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