報告書番号

R11028

タイトル（和文）

インバータシミュレーションプログラムの開発（その３）－SiC-JFETモデルの開発－

タイトル（英文）

Development of Inverter Simulation Program (Part 3) - Development of SiC-JFET Model -

概要 （図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております）

SiCなどの次世代デバイスの適用によるインバータの高効率・コンパクト化によるコスト低減のためには，インバータの動作シミュレーションによる過渡的な電圧・電流解析と損失評価に基づくインバータシステムの設計最適化が重要である。当所ではSiC-JFETを用いた低損失・コンパクトな柱上設置STATCOMの実証機開発を進めており，実用化に向けた設計最適化のためのSiC-JFETデバイスモデルを開発する必要がある。
設計最適化に重要なスイッチング過電圧および損失の評価を，シミュレーションにより行うためのSiC-JFETモデルを構築し，実測対比により精度を検証した。

概要 （英文）

A simulation program, which is possible to analyze inverter operation including transient switching voltage and current, needs to be developed for inverter design discussion. The purpose of this study is to develop device models that enable accurate analysis of transient voltage and current and loss, for optimal design of pole-mounted STATCOM using SiC-JFET. Analysis accuracy is verified through the comparison with actual measurement.
We developed a SiC-JFET model that is possible to simulate overvoltage and switching loss with high accuracy.
The analysis accuracy of overvoltage and switching loss was verified. For the target of about 10% or less errors, it is confirmed that the SiC-JFET model is able to analyze about 8% and 7%, respectively.
We evaluate the analysis accuracy of overvoltage and switching loss by simulation time step. It become clear that inverter simulation reduces computational load with allowable accuracy when simulation time step set to 1/6 (5 nsec) of turn on or turn off time of switching device.

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