電力中央研究所 報告書(電力中央研究所報告)
報告書データベース 詳細情報
報告書番号
R06017
タイトル(和文)
インバータシミュレーションプログラムの開発(その1) -MOSFETとダイオードのモデリング-
タイトル(英文)
Development of Inverter Simulation Program (Part 1) - Modeling of MOSFET and Diode -
概要 (図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております)
高性能インバータ開発における設計最適化には,高速・安定なシミュレーションプログラムの開発,そして,これに用いるデバイスのモデルの開発が必要である。そこで,デバイスのオン/オフ動作において過渡的な電圧・電流をシミュレーション可能なMOSFETとダイオードモデルを開発した。本報告は,インバータシミュレーションプログラムの構成,開発したデバイスモデルおよびインバータシミュレーションによる開発したデバイスモデルの動作確認を示す。
概要 (英文)
Development of a simulation program technique of having high-speed and stable solution performance which becomes indispensable to pursuit of optimal design for high-performance inverter, and device models used for this simulation program is needed in this promotion. Therefore, MOSFET and diode model that simulate transitional voltage and current waveform during turn-on/ off process were developed. In this report, the outline of the inverter simulation program is described and a simulation for the inverter operation using the developed devices model is shown.
報告書年度
2006
発行年月
2007/07
報告者
担当 | 氏名 | 所属 |
---|---|---|
主 |
岡田 有功 |
システム技術研究所 需要家システム領域 |
共 |
高崎 昌洋 |
システム技術研究所 需要家システム領域 |
共 |
竹中 清 |
システム技術研究所 需要家システム領域 |
共 |
野田 琢 |
電力技術研究所 高電圧・電磁環境領域 |
共 |
小谷 和也 |
株式会社 東芝 |
共 |
松本 寿彰 |
株式会社 東芝 |
キーワード
和文 | 英文 |
---|---|
MOSFETモデル | MOSFET model |
ダイオードモデル | Diode model |
スイッチングシミュレーション | Switching simulation |
インバータシミュレーション | Inverter simulation |
損失計算 | Loss calculation |